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QORVO全新碳化硅基氮化鎵放大器可進一步降低電信基礎設施成本

作者:admin來源:華強電子網 日期:2017-8-12 16:04:29 人氣: 標簽:

    實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布,推出一款全新的非對稱型 Doherty 放大器---QPD2731,有助于客戶在設計無線基站設備的過程中實現超高功效。該新一代碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)解決方案在單個封裝中采用兩個晶體管,可最大限度提高線性度、效率和增益,并最終降低運營成本。

    Strategy Analytics服務總監Eric Higham表示:“相比GaAs和InP等其他高頻技術,GaN器件可以處理更高的功率;相比LDMOS等其他功率技術,GaN的頻率性能更出色。”

    Qorvo高性能解決方案業務部門總經理Roger Hall表示:“如今的電信基礎設施設計就是要實現可降低成本的高功效。我們的客戶告訴我們,隨著運營商在線提供更多功能,新型GaN-on-SiC QPD2731晶體管可實現這些目標。”

    因為LDMOS和GaN-on-Si與之相比,熱性能較差,客戶正越來越多地轉向使用GaN-SiC,以大幅改善無線基站的性能、線性度和效率。QPD2731通過預匹配分立式GaN-on-SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實現這一轉變。目前提供樣片的這款新型放大器可在2.5至2.7 GHz的工作范圍內提供業內最高性能。

    根據Qorvo之前發布的內容,通過標準的市售第三方DPD系統可實現QPD2731的線性化。

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